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标题/型号 |
关键优势 |
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1k x 8安全存储器，提供可编程篡改检测分级和RTC
MAX36025B, MAX36025B+TRL
| Industry's First Security Manager with Dual Encryption Engines, Authentication, and Tamper-Detection Hierarchy |
| QV |
带有篡改检测的NV SRAM安全管理器，内置128字节无印迹存储器、RTC和监控电路
MAX36051B
| Single-Chip Solution Provides Security, Tamper Detection, and Encryption-Key Destruction in Event of Tamper |
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3.3V、26通道、三态传输门电路
DS3690
| 业内集成度最高的传输门电路，用于高密度SRAM |
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带有RTC的8k x 8安全存储器，可设置防篡改检测等级
DS3665
| 业内首款8kB安全存储器，具有防篡改响应层 |
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带有RTC的1k x 8安全存储器，可设置防篡改检测等级
DS3644
| 业内首款安全存储器，具有防篡改响应层 |
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超低功耗篡改检测电路，带有无痕迹存储器
DS3655
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
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NV SRAM控制器、RTC及监控电路，带有篡改检测
DS3650
| 具有安全、防篡改检测的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
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I²C安全监控电路，带有1kB无痕迹、电池备份的加密SRAM
DS3640
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
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40V、超低静态电流线性稳压器，6引脚TDFN/8引脚SO封装
MAX15006, MAX15007
| 静态电流低至9µA的线性稳压器，可理想用于汽车产品中的常备电源 |
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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM
DS2070W
| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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安全监控电路，带有64B无痕迹、电池备份的加密SRAM
DS3600
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045L
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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030L
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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3065W
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3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3050W
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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3070W
| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM
DS2065W
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3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
DS2050W
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045W
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单芯片、256k位非易失SRAM
DS2030AB, DS2030Y
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单芯片、1M非易失SRAM
DS2045AB, DS2045Y
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3.3V、8Mb非易失SRAM
DS1265W
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3.3V、2048kb非易失SRAM
DS1249W
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3.3V、16Mb非易失SRAM
DS1270W
| 3.3V非易失SRAM，提供16Mb存储容量 |
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Y2K兼容、非易失时钟RAM
DS1743, DS1743P
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4M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM
DS1557
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1M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM
DS1556, DS1556P
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256k非易失、Y2K兼容的时钟RAM
DS1554
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4096k非易失SRAM，带有电池监视器
DS1350AB, DS1350Y
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1024k非易失SRAM，带有电池监视器
DS1345AB, DS1345Y
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256k非易失SRAM，带有电池监控器
DS1330AB, DS1330Y
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16M非易失SRAM
DS1270AB, DS1270Y
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8M非易失SRAM
DS1265AB, DS1265Y
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128k x 16非易失SRAM
DS1258AB, DS1258Y
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4096k非易失SRAM
DS1250AB, DS1250Y
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3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W
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2048k非易失SRAM
DS1249AB, DS1249Y
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1024k非易失SRAM
DS1245AB, DS1245Y
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3.3V、1024k非易失SRAM
DS1245W
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256k非易失SRAM
DS1230AB, DS1230Y
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3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W
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64k非易失SRAM
DS1225AB, DS1225AD
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16k非易失SRAM
DS1220AB, DS1220AD
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