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标题/型号 |
关键优势 |
| QV |
带有篡改检测的NV SRAM安全管理器，内置128字节无印迹存储器、RTC和监控电路
MAX36051B
| Single-Chip Solution Provides Security, Tamper Detection, and Encryption-Key Destruction in Event of Tamper |
| QV |
超低功耗篡改检测电路，带有无痕迹存储器
DS3655
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器、RTC及监控电路，带有篡改检测
DS3650
| 具有安全、防篡改检测的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
兼容于SPI™的安全监控电路，带有1kB无痕迹、电池备份的密钥保护SRAM
DS3641
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器，带有实时时钟和篡改检测
DS3605
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM
DS2070W
| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
| QV |
安全监控电路，带有64B无痕迹、电池备份的加密SRAM
DS3600
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3045W
| DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM，集成RTC |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM，带有时钟
DS3030W
| DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM，集成RTC |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3070W
| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
DS2050W
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045W
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030W
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| QV PDF |
单芯片、256k位非易失SRAM
DS2030AB, DS2030Y
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| QV PDF |
单芯片、1M非易失SRAM
DS2045AB, DS2045Y
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| QV PDF |
3.3V、2048kb非易失SRAM
DS1249W
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| QV PDF |
3.3V、16Mb非易失SRAM
DS1270W
| 3.3V非易失SRAM，提供16Mb存储容量 |
| QV PDF |
4M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM
DS1557
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| QV PDF |
1M、非易失、Y2K兼容的时钟RAM
DS1556, DS1556P
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| QV PDF |
4096k非易失SRAM
DS1250AB, DS1250Y
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| QV PDF |
3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W
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| QV PDF |
1024k非易失SRAM
DS1245AB, DS1245Y
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| QV PDF |
3.3V、1024k非易失SRAM
DS1245W
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| QV PDF |
256k非易失SRAM
DS1230AB, DS1230Y
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| QV PDF |
3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W
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