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标题/型号 |
关键优势 |
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1k x 8安全存储器,提供可编程篡改检测分级和RTC MAX36025B, MAX36025B+TRL

| Industry's First Security Manager with Dual Encryption Engines, Authentication, and Tamper-Detection Hierarchy |
| QV |
带有篡改检测的NV SRAM安全管理器,内置128字节无印迹存储器、RTC和监控电路 MAX36051B

| Single-Chip Solution Provides Security, Tamper Detection, and Encryption-Key Destruction in Event of Tamper |
| QV |
带有RTC的1k x 8安全存储器,可设置防篡改检测等级 DS3644

| 业内首款安全存储器,具有防篡改响应层 |
| QV |
超低功耗篡改检测电路,带有无痕迹存储器 DS3655

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器、RTC及监控电路,带有篡改检测 DS3650

| 具有安全、防篡改检测的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
兼容于SPI™的安全监控电路,带有1kB无痕迹、电池备份的密钥保护SRAM DS3641

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器,带有实时时钟和篡改检测 DS3605

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
I²C安全监控电路,带有1kB无痕迹、电池备份的加密SRAM DS3640

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
安全监控电路,带有64B无痕迹、电池备份的加密SRAM DS3600

| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案,发生篡改事件时擦除加密数据 |
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3045W

| DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM,集成RTC |
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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟 DS3030W

| DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM,集成RTC |
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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3065W

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高精度、I²C接口、集成RTC/TCXO/晶振 DS3231

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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟 DS3070W

| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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低电压SPI/3线接口RTC,带有涓流充电器 DS1390, DS1391, DS1392, DS1393, DS1394

| 低电压、SPI/3线接口RTC,带有涓流充电器,与同类产品相比具有更多功能和更小尺寸 |
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高速安全微控制器 DS5250

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I²C RTC,带有涓流充电器 DS1340, DS1340C

| I²C实时时钟,带有涓流充电器,可通过软件进行校准 |
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I²C、32位二进制计数器看门狗RTC,带有涓流充电器和复位输入/输出 DS1374, DS1374C, DS1374U

| 历时计数器,提供上电复位、看门狗或闹钟、方波输出 |
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I²C RTC,带有56字节NV RAM DS1338, DS1338C, DS1338U, DS1338Z

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I²C串行实时时钟 DS1339, DS1339C, DS1339U

| RTC的多种可编程特性为系统提供更多灵活性 |
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I²C、32位二进制计数器RTC DS1672

| 低电压串行时钟芯片,内部包括超低电压时钟、电源监视电路、电源失效开关和涓流充电选项,单一芯片可替代多个分立元件 |
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Y2K兼容、看门狗RTC,带有非易失控制 DS1500

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