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标题/型号 |
关键优势 |
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高精度、I²C RTC，集成TCXO/晶体/FRAM
DS32B35, DS32C35
| 非易失存储器，无需备份电源、不受写次数限制 |
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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM
DS2070W
| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3045W
| DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM，集成RTC |
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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM，带有时钟
DS3030W
| DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM，集成RTC |
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3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM
DS2065W
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3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
DS2050W
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单芯片、256k位非易失SRAM
DS2030AB, DS2030Y
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单芯片、1M非易失SRAM
DS2045AB, DS2045Y
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3.3V、2048kb非易失SRAM
DS1249W
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3.3V、16Mb非易失SRAM
DS1270W
| 3.3V非易失SRAM，提供16Mb存储容量 |
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Y2K兼容、非易失时钟RAM
DS1747, DS1747P
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Y2K兼容、非易失时钟RAM
DS1746, DS1746P
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