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概述

DS3508是可编程的8通道gamma电压发生器，每通道具有一个字节的片内EEPROM和一个字节的SRAM存储器。每个通道由一个独立的8位DAC和对应的一对EEPROM/SRAM组成。上电时，非易失(NV) EEPROM gamma数据加载到对应的SRAM寄存器，以驱动对应的8位DAC。通过一个片内控制寄存器可选择控制写入SRAM/EEPROM或仅写入SRAM。 DS3508设计具有低功耗特性，VDD供电时仅消耗小于2mA (典型)的电流。编程通过I²C兼容的串行接口实现，支持高达400kHz通信速度。

关键特性		应用/使用
8位gamma DAC，8个通道 每通道1字节EEPROM和1字节SRAM 超低功耗(2mA IDD、典型) 400kbps I²C接口 9.0V至15.5V的模拟输入 2.7V至5.5V的数字输入 20引脚TSSOP封装 地址引脚允许两个DS3508挂接在同一个I²C总线		工业控制 TFT-LCD gamma缓冲器

图表

典型工作电路

设计指南

数字电位器 (PDF) 显示器 (PDF) 平板显示器 (PDF)

可靠性报告

可靠性报告： DS3508.pdf (English only)

软件/模型

无

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注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-3/3

DS3508	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS3508E+			Active	TSSOP；20引脚；45mm² 封装图： 21-0066 (PDF) 连接盘图形： 90-0116 (PDF) 使用封装码/变更：U20+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS3508E+T&R			Active	TSSOP；20引脚；45mm² 封装图： 21-0066 (PDF) 连接盘图形： 90-0116 (PDF) 使用封装码/变更：U20+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS3508E+T&R/C			Active	TSSOP；20引脚；45mm² 封装图： 21-0066 (PDF) 连接盘图形： 90-0116 (PDF) 使用封装码/变更：U20+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析

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