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完整的数据资料 (PDF, 252kB) 英文 下载 DS3508是可编程的8通道gamma电压发生器，每通道具有一个字节的片内EEPROM和一个字节的SRAM存储器。每个通道由一个独立的8位DAC和对应的一对EEPROM/SRAM组成。上电时，非易失(NV) EEPROM gamma数据加载到对应的SRAM寄存器，以驱动对应的8位DAC。通过一个片内控制寄存器可选择控制写入SRAM/EEPROM或仅写入SRAM。 DS3508设计具有低功耗特性，VDD供电时仅消耗小于2mA (典型)的电流。编程通过I²C兼容的串行接口实现，支持高达400kHz通信速度。

关键特性		应用/使用
8位gamma DAC，8个通道 每通道1字节EEPROM和1字节SRAM 超低功耗(2mA IDD、典型) 400kbps I²C接口 9.0V至15.5V的模拟输入 2.7V至5.5V的数字输入 20引脚TSSOP封装 地址引脚允许两个DS3508挂接在同一个I²C总线		工业控制 TFT-LCD gamma缓冲器

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