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DS28E01-100
1Kb、保护型1-Wire EEPROM,带有SHA-1引擎

为外设和系统提供低成本世界级安全认证


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状况:生产中。

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概述
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DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页,每页256位,且带有64位暂存器以执行写操作。所有的存储页面都可以设置为写保护模式,并可将其中某页置于EPROM仿真模式,即将数据位只能从1变为0。每片DS28E01-100带有唯一的64位ROM注册码,由工厂刻入芯片。DS28E01-100通过单触点1-Wire®串行接口进行通信,遵循1-Wire协议,在多个从器件的1-Wire网络中充当节点地址。

关键特性   应用/使用
  • 1024位EEPROM存储器,分为4页,每页256位
  • 内置512位SHA-1引擎,用于计算160位信息认证码(MAC)或生成密钥
  • 写访问需要已知密钥, 可计算和发送256位信息认证码(MAC)或生成密钥
  • 四个存储器页中的页0、3或全部页面可由用户编程设置为写保护
  • 页1可被置于用户可编程的OTP EPROM仿真模式(“写为0”)
  • 与主机间的通信通过单根数字线即可进行,遵循1-Wire协议,通信速率为15.3kbps或125kbps
  • 切换点滞回和滤波优化了抗噪声性能
  • 可在-40°C至+85°C温度范围,2.8V至5.25V宽电压范围内进行读、写操作
  • 采用6引脚TSOC和TDFN封装或2引脚SFN封装

 
  • 配件/PCB识别
  • 消费品鉴别与认证
  • 墨盒/色带打印盒识别
  • 知识产权,许可权管理
  • 传感器校准与鉴别
  • 系统可编程控制

Key Specifications:  Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real Time Clock DIP w/Int. Batt. Pwr. Cap Pckg. Battery Monitor With GPIO Features VSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
min max
DS28E01-100  EEPROM 1K x 1 1-Wire No No No No No Secure Hash Standard 2.8 5.25
查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)

Key Specifications:  Secure Memory Devices
Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Security Features VCC
(V)
Oper. Temp.
(°C)
Package/Pins Smallest Available Pckg.
(mm2)
max w/pins
DS28E01-100  EEPROM 1K x 1 1-Wire
Secure Hash Standard
Serial Number
2.8 to 5.25 -40 to +85
SFN/2
TDFN-EP/6
TSOC/6
9.6
查看所有Secure Memory Devices (4)

应用笔记
  • 应用笔记1098:白皮书3:为什么1-Wire SHA-1器件是安全的? - DS28E01-100
  • App Note 1099: White Paper 4: Glossary of 1-Wire SHA-1 Terms - DS28E01-100 (English only)
  • 应用笔记1201:白皮书8: 1-Wire® SHA-1概述 - DS28E01-100
  • 应用笔记3522:白皮书9:SHA-1器件的安全性是否依然足够安全? - DS28E01-100
  • 应用笔记3675:保护您的研发成果—双向认证及软件功能保护 - DS28E01-100
  • 应用笔记3826:利用1-Wire接口的SHA-1安全存储器实现Xilinx® FPGA的识别及防拷贝机制 - ds28e01-100
  • 应用笔记3989:通过单个触点增加控制、存储器、安全和混合信号功能 - DS28E01-100
  • 应用笔记4132:机电SFN封装的连接方法 - DS28E01-100
  • 应用笔记4255:为1-Wire®器件的扩展功能供电 - DS28E01-100
  • App Note 4477: Reference Design of a 1-Wire® Bidirectional Voltage-Level Translator for 1.8V to 5V - DS28E01-100 (English only)
  • 应用笔记4478:如何应用基于SHA-1算法的安全认证和系统功能配置 - DS28E01-100
  • App Note 4594: Protect Your FPGA Against Piracy: Cost-Effective Authentication Scheme Protects IP in SRAM-Based FPGA Designs - DS28E01-100 (English only)

    可靠性报告
  • 申请可靠性报告: (English only)

    软件/模型

    定购信息
    注:

    1. 购买产品,请访问:http://china.maxim-ic.com/sales
    2. 没有找到您所需要的器件?请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件,通常在一个工作日内回复。
    3. 型号尾缀:T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考:完整的数据资料型号命名规则
    4. * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。


    器件: 1-5/5

    DS28E01-100 免费样品 采购 状态
    封装: 类型 引脚 占位面积
      封装图编码/变更 *
    温度 RoHS/无铅?
    材料分析
    DS28E01G-100+T&R    
    Active SFN;2引脚;0mm²
    封装图: 21-0390 (PDF)
    连接盘图形: Not Applicable
    使用封装码/变更:G266N+1*
    -40°C至+85°C 参考数据资料
    DS28E01G-100+U  
    Active SFN;2引脚;0mm²
    封装图: 21-0390 (PDF)
    连接盘图形: Not Applicable
    使用封装码/变更:G266N+1*
    -40°C至+85°C 参考数据资料
    DS28E01Q-100+T&R    
    Active TDFN-EP;6引脚;9.6mm²
    封装图: 21-0137 (PDF)
    连接盘图形: 90-0058 (PDF)
    使用封装码/变更:T633+2*
    -40°C至+85°C RoHS/无铅:无铅
    材料分析
    DS28E01P-100+T    
    Active TSOC;6引脚;17.8mm²
    封装图: 21-0382 (PDF)
    连接盘图形: 90-0321 (PDF)
    使用封装码/变更:D6+1*
    -40°C至+85°C RoHS/无铅:无铅
    材料分析
    DS28E01P-100+  
    Active TSOC;6引脚;17.8mm²
    封装图: 21-0382 (PDF)
    连接盘图形: 90-0321 (PDF)
    使用封装码/变更:D6+1*
    -40°C至+85°C RoHS/无铅:无铅
    材料分析

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    2009-03-03
    本页最后一次更新: 2009-10-20


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