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DS28E01-100
1Kb、保护型1-Wire EEPROM，带有SHA-1引擎
为外设和系统提供低成本世界级安全认证
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概述
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DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为四页，每页256位，且带有64位暂存器以执行写操作。所有的存储页面都可以设置为写保护模式，并可将其中某页置于EPROM仿真模式，即将数据位只能从1变为0。每片DS28E01-100带有唯一的64位ROM注册码，由工厂刻入芯片。DS28E01-100通过单触点1-Wire®串行接口进行通信，遵循1-Wire协议，在多个从器件的1-Wire网络中充当节点地址。
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| 关键特性 |
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应用/使用 |
- 1024位EEPROM存储器，分为4页，每页256位
- 内置512位SHA-1引擎，用于计算160位信息认证码(MAC)或生成密钥
- 写访问需要已知密钥, 可计算和发送256位信息认证码(MAC)或生成密钥
- 四个存储器页中的页0、3或全部页面可由用户编程设置为写保护
- 页1可被置于用户可编程的OTP EPROM仿真模式(“写为0”)
- 与主机间的通信通过单根数字线即可进行，遵循1-Wire协议，通信速率为15.3kbps或125kbps
- 切换点滞回和滤波优化了抗噪声性能
- 可在-40°C至+85°C温度范围，2.8V至5.25V宽电压范围内进行读、写操作
- 采用6引脚TSOC和TDFN封装或2引脚SFN封装
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| 配件/PCB识别
| | 消费品鉴别与认证
| | 墨盒/色带打印盒识别
| | 知识产权，许可权管理
| | 传感器校准与鉴别
| | 系统可编程控制
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| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
Features |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
| min |
max |
| DS28E01-100 |
EEPROM |
1K x 1 |
1-Wire |
No |
No |
No |
No |
No |
Secure Hash Standard |
2.8 |
5.25 |
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查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
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| Key Specifications: Secure Memory Devices |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Security Features |
VCC
(V) |
Oper. Temp.
(°C) |
Package/Pins |
Smallest Available Pckg.
(mm2) |
| max w/pins |
| DS28E01-100 |
EEPROM |
1K x 1 |
1-Wire |
| Secure Hash Standard | | Serial Number |
|
2.8 to 5.25 |
-40 to +85 |
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10 |
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查看所有Secure Memory Devices (4)
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2009-03-03
本页最后一次更新: 2009-10-20
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