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该产品的所有型号即将停产，已进入最后一次购买期限，在此之后将不受理该产品订单。

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完整的数据资料 (PDF, 180kB) 英文 下载 DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内，采用256焊球BGA封装。模块的VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，可以修改SRAM内容。VCC断电或超出容限范围时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045L还带有电源监测输出、/RST指示，复位输出可用于CPU监控功能。

关键特性		应用/使用
单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装 内置ML电池和充电器 VCC超出容限范围后，对SRAM进行无条件的写保护 VCC电源失效后，自动切换到电池供电 内部电源监控电路，检查电源是否低于标称VCC (3.3V) 复位输出可用于CPU监控 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机 工业控制器 PLC POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

图表

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