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概述

MAX5079 “或”逻辑MOSFET控制器用于在在高可靠性冗余、并联电源中可替代“或”逻辑二极管。“或”逻辑肖特基二极管尽管具有较低前向压降，但在大电流情况下功耗较大。MAX5079可使用低导通电阻的n沟道功率MOSFET来替代肖特基二极管，从而在大功率应用中，实现更低功耗、更小尺寸，而且不需要热沉。 MAX5079采用2.75V至13.2V电源供电，内置电荷泵驱动高端n沟道MOSFET。提供至少2.75V的辅助电压时，器件最低可在1V下工作。控制器检测到IN和BUS间出现正压差时，启动n沟道MOSFET。一旦MAX5079检测到IN相对于BUS压差为负，MOSFET将被关断，正压差恢复后，自动重新打开。故障状态下，1A的“或”逻辑MOSFET栅极下拉电流可提供200ns超快速关断。反向电压关断阈值可由外部设置，以避免电源热拔插在IN或BUS上产生干扰脉冲，导致“或”逻辑MOSFET被无意关断。 其他特性包括，OVP标志便于在过压时关断失效电源，PGOOD信号用于指示VIN低于欠压锁定或VBUS过压。MAX5079工作在-40°C至+85°C温度范围内，可提供节省空间的14引脚TSSOP封装。

现备有评估板：  MAX5079EVKIT  

关键特性		应用/使用
2.75V至13.2V输入“或”逻辑电压 提供2.75V辅助电压时，1V至13.2V输入“或”逻辑电压 故障状态下，2A MOSFET栅极下拉电流 故障状态下，超快速200ns MOSFET关断 电源欠压和总线过压检测 用于故障检测的电源良好(PGOOD)和过压(OVP)输出 节省空间的14引脚TSSOP封装 -40°C至+85°C工作温度范围		基站线卡 N+1冗余电源系统 网络线卡 可并联的DC-DC转换器模块 RAID 服务器

图表

典型工作电路

评估板

MAX5079EVKIT

可靠性报告

可靠性报告： MAX5079.pdf (English only) 查询FIT数据： MAX5079

软件/模型

无

定购信息

注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-4/4

MAX5079	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
MAX5079EUD			Active	TSSOP；14引脚；33mm² 封装图： 21-0066 (PDF) 连接盘图形： 90-0113 (PDF) 使用封装码/变更：U14-2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MAX5079EUD-T			Active	连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
MAX5079EUD+			Active	TSSOP；14引脚；33mm² 封装图： 21-0066 (PDF) 连接盘图形： 90-0113 (PDF) 使用封装码/变更：U14+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MAX5079EUD+T			Active	TSSOP；14引脚；33mm² 封装图： 21-0066 (PDF) 连接盘图形： 90-0113 (PDF) 使用封装码/变更：U14+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析

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新品发布 2005-04-07

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