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存储器:易失、非易失(NV)、多功能存储产品
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时钟、定时器和计数器
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DS3070W
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟
业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块
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该产品的所有型号即将停产,已进入最后一次购买期限,在此之后将不受理该产品订单。
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概述
DS3070W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内部可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。V
CC
加电时,模块对ML电池充电,同时使用外部电源为时钟和SRAM供电,并允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。当V
CC
掉电或超出容限时,控制器即对存储器内容实施写保护,并改由电池为时钟和SRAM供电。DS3070W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。
关键特性
应用/使用
单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
集成实时时钟
内置锂锰电池和充电器
V
CC
超出容限后无条件对SRAM实施写保护
V
CC
失效后自动切换至电池供电
内部电源检测器监测电源是否低于V
CC
额定值(3.3V)
复位输出可用作微处理器(CPU)监控
工业级温度范围(-40°C至+85°C)
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
数据采集系统
烟雾报警器
游戏机
工业控制器
PLC
POS终端
RAID系统和服务器
路由器/交换机
图表
典型工作电路
应用笔记
App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions
- DS3070W (English only)
App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications
- DS3070W (English only)
应用笔记3693:Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块
- DS3070W
App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM
- DS3070W (English only)
App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries
- DS3070W (English only)
App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- DS3070W (English only)
可靠性报告
申请可靠性报告:
DS3070W
(English only)
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
软件/模型
无
定购信息
注:
购买产品,请访问:
http://china.maxim-ic.com/sales
。
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我们的专家会帮助您找到合适的器件,通常在一个工作日内回复。
型号尾缀:T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考:
完整的数据资料
或
型号命名规则
。
*
“封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。
器件: 1-1/1
DS3070W
免费样品
采购
状态
封装:
类型 引脚 占位面积
封装图编码/变更
*
温度
RoHS/无铅?
材料分析
DS3070W-100#
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
-40°C至+85°C
参考数据资料
更多信息
新品发布
2006-11-30
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评估板
2006-10-17
本页最后一次更新: 2006-10-17
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