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DS2065W
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM


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DS2065W 状况:生产中,但该系列产品中的某些型号已进入最后一次购买期限。请查看订购信息

数据资料
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概述
DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上,就对ML电池充电,利用外部电源为SRAM供电,并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时,控制器对SRAM的内容写保护,并用电池为SRAM供电。DS2065W还包含电源监视输出/RST,可以用作微处理器的CPU监控。

本产品包含金属锂电池。 参见含电池设备的运输要求使用标准。

关键特性   应用/使用
  • 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池与充电器
  • VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
  • 出现VCC电源故障时,自动切换到电池供电
  • 内置电源监视器,用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

 

图表
DS2065W:典型工作电路
典型工作电路

应用笔记
  • App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS2065W (English only)
  • App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS2065W (English only)
  • 应用笔记3693:Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 - DS2065W
  • App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS2065W (English only)
  • App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries - DS2065W (English only)
  • App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS2065W (English only)

    可靠性报告
  • 可靠性报告: DS2065W.pdf (English only)
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

    软件/模型

    定购信息
    注:

    1. 购买产品,请访问:http://china.maxim-ic.com/sales
    2. 没有找到您所需要的器件?请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件,通常在一个工作日内回复。
    3. 型号尾缀:T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考:完整的数据资料型号命名规则
    4. * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。


    器件: 1-2/2

    DS2065W 免费样品 采购 状态 推荐替代产品
    封装: 类型 引脚 占位面积
      封装图编码/变更 *
    温度 RoHS/无铅?
    材料分析
    DS2065W-100     N/A Last Time Buy DS2065W-100#


    连接盘图形: 不提供

    0°C至+70°C 参考数据资料
    DS2065W-100#  
    Active
    PBGA;256引脚;729mm²
    封装图: 21-0313 (PDF)
    连接盘图形: 不提供
    使用封装码/变更:SPM#1*
    0°C至+70°C RoHS/无铅:RoHS认证
    材料分析

    更多信息
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    2006-10-13
    本页最后一次更新: 2008-08-29


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