- 双路40mΩ内部n沟道MOSFET
- 集成boost开关
- +1.3V至+3.6V输入电压范围
- 线路和负载变化时VOUT精度1%
- 1MHz最大开关频率
- DDR终端调节器(DDR模式)
- 跟踪输出电压
- 提供/吸收脉冲跳频
- ±5mA基准缓冲
- 输出电压(非DDR模式)
- 引脚选择+2.5V, +1.8V或+1.5V
- +0.5V至+2.7V可调
- 1.1V ±0.75%基准输出
- 可调平稳启动输入浪涌电流限制
- < 1µA (典型值)关断电流
- < 800µA (典型值)工作电流
- 轻载时,可选脉冲跳频模式
- 正向和反向电流限制
- 电源就绪窗口比较
- 输出短路保护
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| 有源端接总线
| | 芯片组/图形处理器供电
| | 笔记本电脑DDR存储器终端匹配
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