 |
|
DS2030AB, DS2030Y
单芯片、256k位非易失SRAM
|
状态
|
|
该产品的所有型号即将停产，已进入最后一次购买期限，在此之后将不受理该产品订单。推荐替代产品请查看订购信息。
|
|
数据资料
|
完整的数据资料
(PDF, 224kB)
英文  下载
|
|
概述
|
|
DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。
|
| 关键特性 |
|
应用/使用 |
- 单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装
- 内部ML电池和充电器
- VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护
- VCC电源失效后，自动切换到电池供电
- 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
- 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
- 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
|
|
|
|
| DS2030AB |
免费样品 |
采购 |
状态 |
推荐替代产品 |
|
封装：
|
类型 引脚 占位面积
|
| |
封装图编码/变更 *
|
|
温度 |
RoHS/无铅？
材料分析 |
DS2030AB-100
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
DS2030AB-100#
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
DS2030AB-100#
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
DS2030AB-70
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
DS2030AB-70#
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
DS2030AB-70#
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
| DS2030Y |
免费样品 |
采购 |
状态 |
推荐替代产品 |
|
封装：
|
类型 引脚 占位面积
|
| |
封装图编码/变更 *
|
|
温度 |
RoHS/无铅？
材料分析 |
DS2030Y-100
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
DS2030Y-100#
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
DS2030Y-100#
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
DS2030Y-70
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
DS2030Y-70#
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
DS2030Y-70#
|
|
N/A
|
Last Time Buy
|
|
连接盘图形： 不提供
|
-40°C至+85°C
|
参考数据资料
|
2006-10-16
本页最后一次更新: 2008-08-29
|
|
|
|
