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MAX9995
双通道、SiGe、高线性度、1700MHz至2200MHz下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
噪声最低、高线性度、双通道、1700MHz至2200MHz SiGe混频器，用于2.5G和3G基站
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数据资料
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完整的数据资料
(PDF, 376kB)
英文  下载
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概述
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MAX9995双路、高线性度、下变频混频器能够为UMTS/WCDMA、DCS和PCS基站应用提供6.1dB增益、+25.6dBm的IIP3和9.8dB的NF。MAX9995适合于低端LO注入。(关于优化于高端LO注入的混频器类型，请与厂商联系。)
该器件在RF和LO端口集成了平衡非平衡转换器、双输入LO可选开关、LO缓冲器、两个双平衡混频器和一对差分IF输出放大器。MAX9995需要典型值为0dBm的LO驱动，确保电源电流低于380mA。
这些器件采用紧凑的36引脚薄型QFN封装(6mm x 6mm)，具有裸露焊盘。其电特性保证在TC = -40°C至+85°C的扩展温度范围内有效。
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现备有评估板：
MAX9995EVKIT
| 关键特性 |
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应用/使用 |
| RF频率范围为1700MHz至2200MHz
| | LO频率范围为1400MHz至2000MHz (MAX9995)
| | LO频率范围为1900MHz至2400MHz (与厂商联系)
| | IF频率范围为40MHz至350MHz
| | 6.1dB变频增益
| | +25.6dBm输入IP3
| | 噪声系数为9.8dB
| | PRF = -10dBm时，2RF-2LO杂散抑制为66dBc
| | 双信道适合于分集接收机应用
| | 集成LO缓冲器
| | 用于单端输入的集成RF和LO平衡非平衡转换器
| | -3dBm至+3dBm的低LO驱动
| | 内置SPDT LO开关，具有50dB的LO1-LO2隔离度和50ns开关时间
| | 44dB信道间隔离度 |
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| DCS 1800和EDGE基站
| | 固定宽带无线接入
| | 军用系统
| | PCS 1900和EDGE基站
| | PHS/PAS基站
| | 个人移动无线装置(PMR)
| | UMTS/WCDMA和cdma2000® 3G基站
| | 无线本地环路(WLL)
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| Key Specifications: Downconverter Mixers |
| Part Number |
RF Freq.
(MHz) |
RF Freq.
(MHz) |
Gain
(dB) |
Input IP3
(dBm) |
Noise Figure
(dB) |
ISUPPLY
(mA) |
Footprint
(mm x mm) |
Package/Pins |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| MAX9995 |
1700 |
2200 |
6.1 |
25.6 |
9.8 |
332 |
6.0 x 6.0 |
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$9.96 @1k |
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查看所有Downconverter Mixers (24)
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图表
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典型应用电路
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| MAX9995 |
免费样品 |
采购 |
状态 |
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封装：
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类型 引脚 占位面积
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封装图编码/变更 *
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温度 |
RoHS/无铅？
材料分析 |
MAX9995ETX
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Active
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TQFN；36引脚；37.2mm²
封装图： 21-0141 (PDF)
连接盘图形： 90-0049 (PDF)
使用封装码/变更：T3666-2*
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-40°C至+85°C
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RoHS/无铅：否
材料分析
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MAX9995ETX-T
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Active
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连接盘图形： 不提供
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-40°C至+85°C
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参考数据资料
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MAX9995ETX+
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Active
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TQFN；36引脚；37.2mm²
封装图： 21-0141 (PDF)
连接盘图形： 90-0049 (PDF)
使用封装码/变更：T3666+2*
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-40°C至+85°C
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RoHS/无铅：无铅
材料分析
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MAX9995ETX+T
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Active
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TQFN；36引脚；37.2mm²
封装图： 21-0141 (PDF)
连接盘图形： 90-0049 (PDF)
使用封装码/变更：T3666+2*
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-40°C至+85°C
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RoHS/无铅：无铅
材料分析
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参考文献： 19-3383;
Rev. 0;
2004-08-20
本页最后一次更新: 2009-10-12
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