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MAX5078A/MAX5078B高速MOSFET驱动器可供出或吸收4A的峰值电流。这些器件在驱动5000pF容性负载时具有20ns的快速传输特性和20ns的上升、下降时间。传输延时最小，并在反相和同相输入之间保持匹配。较高的供出和吸收峰值电流能力、低传输延时和高热效封装使MAX5078A/MAX5078B十分适合高频和大功率电路。 MAX5078A/MAX5078B采用4V至15V单电源工作，没有开关操作时消耗电源电流仅40µA (典型值)。这些器件的内部逻辑电路可防止输出级发生穿通，在高开关频率下有助于降低工作电流。逻辑输入带有保护功能，防止电压高于+18V，而且与VDD电压无关。MAX5078A具有CMOS输入逻辑电平，MAX5078B则具有兼容于TTL电平的输入逻辑。 MAX5078A/MAX5078B提供反相输入和同相输入，对MOSFET的控制具有更大的灵活性。它们采用6引脚TDFN (3mm x 3mm)封装，工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。

关键特性		应用/使用
4V至15V的单电源供电 供出/吸入驱动峰值电流达4A 20ns (典型值)传输延时 反相和同相输入之间保持匹配延时 VDD / 2 CMOS (MAX5078A)/TTL (MAX5078B)逻辑输入 0.1 x VDD (CMOS)和0.3V (TTL)逻辑输入滞回 +18V的逻辑输入(独立于VDD电压) 低输入电容：2.5pF (典型值) 40µA (典型值)的静态电流 -40°C至+125°C的工作温度范围 6引脚TDFN封装		DC-DC转换器 电机控制 功率MOSFET开关 电源模块 开关模式电源

图表

典型工作电路

可靠性报告

查询FIT数据： MAX5078 申请可靠性报告： MAX5078 (English only)

软件/模型

无

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注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-7/7

MAX5078	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
MAX5078BATT/V+T			Active	TDFN-EP；6引脚；10mm² 封装图： 21-0137 (PDF) 连接盘图形： 90-0058 (PDF) 使用封装码/变更：T633+2*	-40°C至+125°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MAX5078AATT+			Active	TDFN-EP；6引脚；10mm² 封装图： 21-0137 (PDF) 连接盘图形： 90-0058 (PDF) 使用封装码/变更：T633+2*	-40°C至+125°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MAX5078BATT+			Active	TDFN-EP；6引脚；10mm² 封装图： 21-0137 (PDF) 连接盘图形： 90-0058 (PDF) 使用封装码/变更：T633+2*	-40°C至+125°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MAX5078AATT-T			Active	TDFN-EP；6引脚；10mm² 封装图： 21-0137 (PDF) 连接盘图形： 90-0058 (PDF) 使用封装码/变更：T633-2*	-40°C至+125°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MAX5078BATT-T			Active	TDFN-EP；6引脚；10mm² 封装图： 21-0137 (PDF) 连接盘图形： 90-0058 (PDF) 使用封装码/变更：T633-2*	-40°C至+125°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MAX5078AATT+T			Active	TDFN-EP；6引脚；10mm² 封装图： 21-0137 (PDF) 连接盘图形： 90-0058 (PDF) 使用封装码/变更：T633+2*	-40°C至+125°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MAX5078BATT+T			Active	TDFN-EP；6引脚；10mm² 封装图： 21-0137 (PDF) 连接盘图形： 90-0058 (PDF) 使用封装码/变更：T633+2*	-40°C至+125°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析

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顶标： MAX5078 新品发布 2004-08-26

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