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概述

The DS2175 is a low-power CMOS elastic-store memory optimized for use in primary rate telecommunications transmission equipment. The device serves as a synchronizing element between async data streams and is compatible with North American (T1-1.544MHz) and European (CEPT-2.048MHz) rate networks. The chip has several flexible operating modes which eliminate support logic and hardware currently required to interconnect parallel or serial TDM backplanes. Application areas include digital trunks, drop and insert equipment, digital cross-connects (DCC), private network equipment, and PABX-to-computer interfaces such as DMI and CPI.

关键特性

Rate buffer for T1 and CEPT transmission systems Synchronizes loop-timed and system-timed data streams on frame boundaries Ideal for T1 (1.544 MHz) to CEPT (2.048MHz), CEPT to T1 interfaces Supports parallel and serial backplanes Buffer depth is 2 frames Comprehensive on-chip "slip" control logic Slips occur only on frame boundaries Outputs report slip occurrences and direction Align feature allows buffer to be recentered at any time Buffer depth easily monitored Compatible with DS2180A T1 and DS2181A CEPT Transceivers Industrial temperature range of -40°C to +85°C available, designated DS2175N

图表

原理框图

应用笔记

App Note 329: DS2151 Special Modes - DS2175 (English only)

可靠性报告

可靠性报告： DS2175.pdf (English only) 申请可靠性报告： DS2175N (English only)

软件/模型

无

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注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-11/11

DS2175	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS2175			Active	PDIP(N)；16引脚；158mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16-2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS2175+			Active	PDIP(N)；16引脚；158mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16+2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS2175S			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS2175S/T&R			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS2175S+			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS2175S+T&R			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS2175SN			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS2175SN/T&R			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS2175SN+			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS2175SN+T&R			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS2175N	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS2175N			Active	PDIP(N)；16引脚；158mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16-2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析

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