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概述

DS2016 2k x 8 3V/5V供电静态RAM是16,384位、低功耗、全静态随机访问存储器，采用CMOS技术以8位为单位分为2048个字。该器件工作在单电源下，具有2.7V至5.5V的输入电压。芯片使能输入(/CE)用于选择器件，可启动最低待机电流模式，满足电池供电和电池备份应用的需求。当采用5V电源供电时，该器件提供100ns快速访问时间，而采用3V输入时，则具有250ns的性能相对优异的访问时间。当输入电压介于2.7V至5.5V时，器件保持TTL电平输入和输出。DS2016是一款JEDEC标准2k x 8 SRAM，与相似容量的ROM和EPROM引脚兼容。

关键特性

低功耗CMOS设计 待机电流 tA = 25°C，VCC = 3.0V时，最大50nA tA = 25°C，VCC = 5.5V时，最大100nA tA = +60°C，VCC = 5.5V时，最大1µA 电源工作范围VCC = 5.5V至2.7V 数据保持电压为：5.5V至2.0V 快速的5V访问时间 DS2016-100 100ns 降速的3V访问时间 DS2016-100 250ns -40°C至+85°C工作温度范围 全静态工作 5.5V至2.7V电压范围的输入和输出,与TTL电平兼容的 采用24引脚DIP封装和24引脚SO封装 尤其适合于电池供电和备份电池的应用

可靠性报告

可靠性报告： DS2016.pdf (English only)

软件/模型

无

定购信息

注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-7/7

DS2016	免费样品	采购	状态	推荐替代产品	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS2016-150		N/A	Last Time Buy	DS2016-100+	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DS2016-100		N/A	Last Time Buy		连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS2016-100+		N/A	Last Time Buy		连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS2016R-150		N/A	Last Time Buy	DS2016R-100+	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DS2016R-100		N/A	Last Time Buy		连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS2016R-100+		N/A	Last Time Buy		连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS2016R-150+		N/A	Last Time Buy	DS2016R-100+	连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料

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