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DS1345W
3.3V、1024k非易失SRAM，带有电池监测器
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概述
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完整的数据资料
(PDF, 244kB)
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英文  下载
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DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1345W器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。
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关键特性
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- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
- 电池监视器核查剩余电量
- 100ns的读写存取时间
- 没有写次数限制
- 典型待机电流50µA
- 可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- PowerCap模块(PCM)封装
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| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1345W |
NV SRAM |
128K x 8 |
Parallel |
No |
No |
Yes |
Yes |
No |
3 |
3.6 |
$13.13 @1k |
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查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
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图表
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引脚分配
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2006-09-06
本页最后一次更新: 2009-10-28
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