 |
|
DS1330W
3.3V、256k非易失SRAM，带有电池监测器
|
概述
|
|
完整的数据资料
(PDF, 236kB)
|
英文  下载
|
|
|
|
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1330W器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。
|
|
关键特性
|
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
- 电池监视器核查剩余电量
- 100ns的读写存取时间
- 没有写次数限制
- 典型待机电流50µA
- 可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
- 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
|
| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1330W |
NV SRAM |
32K x 8 |
Parallel |
No |
No |
Yes |
Yes |
No |
3 |
3.6 |
$8.56 @1k |
|
查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
|
|
图表
|
引脚分配
|
2006-09-05
本页最后一次更新: 2009-10-28
|
|
|
|
