DS1258AB, DS1258Y
128k x 16非易失SRAM
状态
该产品的所有型号即将停产,已进入最后一次购买期限,在此之后将不受理该产品订单。
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概述
DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC 是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
独立的向上/向下字节片选输入
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
70ns的读写存取时间
第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10%电源工作范围(DS1258Y)
可选择±5%电源工作范围(DS1258AB)
可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C,指定为IND
通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
DS1258AB
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采购
状态
封装:
类型 引脚 占位面积
封装图编码/变更 *
温度
RoHS/无铅? 材料分析
DS1258AB-100
N/A
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连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258AB-100#
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258AB-70
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258AB-70#
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258AB-70IND
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
-40°C至+85°C
参考数据资料
DS1258AB-70IND#
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
-40°C至+85°C
参考数据资料
DS1258Y
免费样品
采购
状态
封装:
类型 引脚 占位面积
封装图编码/变更 *
温度
RoHS/无铅? 材料分析
DS1258Y-100
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258Y-100#
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258Y-70
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258Y-70#
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
0°C至+70°C
参考数据资料
DS1258Y-70IND
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
-40°C至+85°C
参考数据资料
DS1258Y-70IND#
N/A
Last Time Buy
连接盘图形: 不提供
-40°C至+85°C
参考数据资料
2006-09-01
本页最后一次更新: 2007-06-18