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DS1258AB, DS1258Y
128k x 16非易失SRAM


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概述
DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 独立的向上/向下字节片选输入
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10%电源工作范围(DS1258Y)
  • 可选择±5%电源工作范围(DS1258AB)
  • 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C,指定为IND
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

应用笔记
  • App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS1258AB, DS1258Y (English only)
  • App Note 1066: Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table - DS1258AB, DS1258Y (English only)
  • App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS1258AB, DS1258Y (English only)
  • App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS1258AB, DS1258Y (English only)

    可靠性报告
  • 可靠性报告: DS1258Y.pdf (English only)
  • 申请可靠性报告: (English only)
  • 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

    软件/模型

    定购信息
    注:

    1. 购买产品,请访问:http://china.maxim-ic.com/sales
    2. 没有找到您所需要的器件?请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件,通常在一个工作日内回复。
    3. 型号尾缀:T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考:完整的数据资料型号命名规则
    4. * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意:型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况,封装图上可能显示不同的尾缀字符。


    器件: 1-12/12

    DS1258AB 免费样品 采购 状态
    封装: 类型 引脚 占位面积
      封装图编码/变更 *
    温度 RoHS/无铅?
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    0°C至+70°C 参考数据资料
    DS1258AB-100#     N/A Last Time Buy

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    0°C至+70°C 参考数据资料
    DS1258AB-70     N/A Last Time Buy

    连接盘图形: 不提供

    0°C至+70°C 参考数据资料
    DS1258AB-70#     N/A Last Time Buy

    连接盘图形: 不提供

    0°C至+70°C 参考数据资料
    DS1258AB-70IND     N/A Last Time Buy

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    DS1258AB-70IND#     N/A Last Time Buy

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    -40°C至+85°C 参考数据资料
    DS1258Y 免费样品 采购 状态
    封装: 类型 引脚 占位面积
      封装图编码/变更 *
    温度 RoHS/无铅?
    材料分析
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    0°C至+70°C 参考数据资料
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    2006-09-01
    本页最后一次更新: 2007-06-18


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