快速浏览

技术文档

定购信息

更多信息

所有内容

状态

该产品的所有型号即将停产，已进入最后一次购买期限，在此之后将不受理该产品订单。

数据资料

完整的数据资料 (PDF, 208kB) 英文 下载

概述

DS1258W 3.3V、128k x 16非易失SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。DIP封装的DS1258W器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

无外部电源时最少可以保存数据10年 掉电期间数据被自动保护 独立的向上/向下字节片选输入 没有写次数限制 低功耗CMOS操作 100ns的读写存取时间 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

应用笔记

App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS1258W (English only) App Note 1066: Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table - DS1258W (English only) App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS1258W (English only) App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS1258W (English only)

可靠性报告

可靠性报告： DS1258W.pdf (English only) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

软件/模型

无

定购信息

注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-6/6

DS1258W	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS1258W-100		N/A	Last Time Buy	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1258W-100#		N/A	Last Time Buy	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1258W-150		N/A	Last Time Buy	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1258W-150#		N/A	Last Time Buy	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1258W-100IND		N/A	Last Time Buy	连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
DS1258W-100IND#		N/A	Last Time Buy	连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料

更多信息

UL认证

没有找到你需要的产品吗？

应用工程师帮助选型，下个工作日回复 参数搜索 应用帮助

快速浏览

技术文档

定购信息

更多信息

概述   关键特性   应用/使用   关键指标   图表

数据资料   应用笔记   设计指南   工程期刊   可靠性报告   软件/模型   评估板

价格与供货   样品   在线订购   封装信息   无铅信息

相关产品   注释、注解   评估板