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概述

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245W器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245W器件可直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

本产品包含金属锂电池。 参见含电池设备的运输要求使用标准。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 掉电期间数据被自动保护 替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存 没有写次数限制 低功耗CMOS 100ns的读写存取时间 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND JEDEC标准的32引脚DIP封装 PowerCap模块(PCM)封装 表面贴装模块 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池 所有非易失SRAM器件提供标准引脚 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

图表

引脚分配

应用笔记

App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS1245W (English only) App Note 1066: Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table - DS1245W (English only) App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS1245W (English only) App Note 4006: NVSRAM Device Programmers - DS1245W (English only) App Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM - DS1245W (English only)

可靠性报告

可靠性报告： DS1245W.pdf (English only) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

软件/模型

无

定购信息

注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-12/12

DS1245W	注	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS1245W-100IND+				Active	EDIP；32引脚；707mm² 封装图： 21-0245 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：MDT32+6*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1245W-100	3.3V、100ns			Active	EDIP；32引脚；707mm² 封装图： 21-0245 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：MDT32-6*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1245W-150	3.3V、150ns			Active	EDIP；32引脚；707mm² 封装图： 21-0245 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：MDT32-6*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1245W-150+				Active	EDIP；32引脚；707mm² 封装图： 21-0245 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：MDT32+6*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1245W-100+				Active	EDIP；32引脚；707mm² 封装图： 21-0245 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：MDT32+6*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1245W-100IND	3.3V、100ns			Active	EDIP；32引脚；707mm² 封装图： 21-0245 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：MDT32-6*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1245WP-100+				Active	PCAP；34引脚；597mm² 封装图： 21-0246 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：PC2+3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1245WP-100IND+				Active	PCAP；34引脚；597mm² 封装图： 21-0246 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：PC2+3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1245WP-100	3.3V、100ns			Active	PCAP；34引脚；597mm² 封装图： 21-0246 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：PC2-3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1245WP-150	3.3V、150ns			Active	PCAP；34引脚；597mm² 封装图： 21-0246 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：PC2-3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1245WP-150+				Active	PCAP；34引脚；597mm² 封装图： 21-0246 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：PC2+3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1245WP-100IND	3.3V、100ns			Active	PCAP；34引脚；597mm² 封装图： 21-0246 (PDF) 连接盘图形： 不提供 使用封装码/变更：PC2-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析

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