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DS1210	状况：生产中，但该系列产品中的某些型号已经停产。请查看订购信息。

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概述

The DS1210 Nonvolatile Controller Chip is a CMOS circuit which solves the application problem of converting CMOS RAM into nonvolatile memory. Incoming power is monitored for an out-of-tolerance condition. When such a condition is detected, chip enable is inhibited to accomplish write protection and the battery is switched on to supply the RAM with uninterrupted power. Special circuitry uses a low-leakage CMOS process which affords precise voltage detection at extremely low battery consumption. The 8-pin DIP package keeps PC board real estate requirements to a minimum. By combining the DS1210 Nonvolatile Controller Chip with a CMOS memory and batteries, nonvolatile RAM operation can be achieved.

关键特性

Converts CMOS RAMs into Nonvolatile Memories Unconditionally Write Protects when VCC is Out-of-Tolerance Automatically Switches to Battery when Power-Fail Occurs Space-Saving 8-Pin DIP Consumes Less Than 100nA of Battery Current Tests Battery Condition on Power up Provides for Redundant Batteries Optional 5% or 10% Power-Fail Detection Low Forward Voltage Drop on the VCCSwitch Optional 16-Pin SO Surface Mount Package Optional Industrial (N) Temperature Range of -40°C to +85°C 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

图表

引脚分配

应用笔记

App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS1210 (English only)

可靠性报告

可靠性报告： DS1210.pdf (English only) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

软件/模型

DS1210 IBIS模型

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注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-12/12

DS1210	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DS1210N+			Active	PDIP(N)；8引脚；82mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P8+4*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1210+			Active	PDIP(N)；8引脚；82mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P8+4*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1210N			Active	PDIP(N)；8引脚；82mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P8-4*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1210S/T&R/		N/A	No Longer Available	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DS1210S			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1210S/T&R			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1210S+			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1210S+TRL			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1210SN+			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DS1210SN			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1210SN/T&R			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16-2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DS1210SN+T&R			Active	SOIC(W)；16引脚；111mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 (PDF) 使用封装码/变更：W16+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析

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