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概述

The MXD1210 nonvolatile RAM controller is a very low-power CMOS circuit that converts standard (volatile) CMOS RAM into nonvolatile memory. It also continually monitors the power supply to provide RAM write protection when power to the RAM is in a marginal (out-of-tolerance) condition. When the power supply begins to fail, the RAM is write protected, and the device switches to battery-backup mode.

关键特性		应用/使用
Battery Backup Memory Write Protection 230µA Operating-Mode Quiescent Current 2nA Backup-Mode Quiescent Current Battery Freshness Seal Optional Redundant Battery Low Forward-Voltage Drop on VCC Supply Switch 5% or 10% Power-Fail Detection Options Tests Battery Condition During Power-Up 8-Pin SO Available		µP控制系统 计算机：台式机、工作站和服务器 嵌入式系统

图表

典型工作电路

可靠性报告

可靠性报告： MXD1210.pdf (English only) 查询FIT数据： MXD1210

软件/模型

无

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注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-22/22

MXD1210	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
MXD1210MJA			生产中	CDIP(N)；8引脚；82.6mm² 封装图： 21-0045 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：J8-2*	-55°C至+125°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210C/D			生产中	DICE SALES；NA引脚；0mm² 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：DICE*		参考数据资料
MXD1210CPA			生产中	PDIP(N)；8引脚；79.7mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P8-2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210CPA+			生产中	PDIP(N)；8引脚；79.7mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P8+2*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MXD1210EPA			生产中	PDIP(N)；8引脚；79.7mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P8-2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210EPA+			生产中	PDIP(N)；8引脚；79.7mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P8+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MXD1210CWE			生产中	SOIC(W)；16引脚；111.8mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 使用封装码/变更：W16-1*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210CWE-T			生产中	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
MXD1210CWE+			生产中	SOIC(W)；16引脚；111.8mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 使用封装码/变更：W16+1*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MXD1210CWE+T			生产中	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
MXD1210EWE			生产中	SOIC(W)；16引脚；111.8mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 使用封装码/变更：W16-1*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210EWE-T			生产中	连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
MXD1210EWE+			生产中	SOIC(W)；16引脚；111.8mm² 封装图： 21-0042 (PDF) 连接盘图形： 90-0107 使用封装码/变更：W16+1*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MXD1210EWE+T			生产中	连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料
MXD1210CSA			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8-4*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210CSA-T			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8-4*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210CSA+			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8+4*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MXD1210CSA+T			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8+4*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MXD1210ESA			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8-4*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210ESA-T			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8-4*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
MXD1210ESA+			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8+4*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
MXD1210ESA+T			生产中	SOIC(N)；8引脚；30.9mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0096 使用封装码/变更：S8+4*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析

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