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MXD1210
非易失RAM控制器


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状况:生产中。

概述
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The MXD1210 nonvolatile RAM controller is a very low-power CMOS circuit that converts standard (volatile) CMOS RAM into nonvolatile memory. It also continually monitors the power supply to provide RAM write protection when power to the RAM is in a marginal (out-of-tolerance) condition. When the power supply begins to fail, the RAM is write protected, and the device switches to battery-backup mode.

关键特性   应用/使用
  • Battery Backup
  • Memory Write Protection
  • 230µA Operating-Mode Quiescent Current
  • 2nA Backup-Mode Quiescent Current
  • Battery Freshness Seal
  • Optional Redundant Battery
  • Low Forward-Voltage Drop on VCC Supply Switch
  • 5% or 10% Power-Fail Detection Options
  • Tests Battery Condition During Power-Up
  • 8-Pin SO Available

 

Key Specifications:  Battery Backup Circuits
Part Number Reset Thresh.
(V)
ICC
(µA)
Features Oper. Temp.
(°C)
Package/Pins Smallest Available Pckg.
(mm2)
Price
max max w/pins See Notes
MXD1210  3.3 to 5.5 500 Chip Enable Gate
-55 to +125
-40 to +85
0 to +70
CDIP(N)/8
PDIP(N)/8
SOIC(N)/8
SOIC(W)/16
111.8 $2.44 @1k
查看所有Battery Backup Circuits (86)

图表
MXD1210:典型工作电路
典型工作电路

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    参考文献: 19-0154; Rev. 2; 2006-06-30
    本页最后一次更新: 2007-05-30


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