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概述

Maxim's redesigned DG444/DG445 analog switches now feature on-resistance matching (4Ω max) between switches and guaranteed on-resistance flatness over the signal range (9Ω max). These low on-resistance switches conduct equally well in either direction. They guarantee low charge injection (10pC max), low power consumption (35µW max), and an ESD tolerance of 2000V minimum per Method 3015.7. The new design offers lower off-leakage current over temperature (less than 5nA at +85°C). The DG444/DG445 are quad, single-pole/single-throw (SPST) analog switches. The DG444 has four normally closed switches and the DG445 has four normally open switches. Switching times are less than 250ns for tON and less than 70ns for tOFF. Operation is from a single +10V to +30V supply, or bipolar ±4.5V to ±20V supplies. Maxim's improved DG444/DG445 continue to be fabricated with a 44V silicon-gate process.

关键特性		应用/使用
New Features Plug-In Upgrades for Industry-Standard DG444/DG445 Improved RON Match Between Channels (4Ω max) Guaranteed RFLAT(ON) Over Signal Range (9Ω max) Improved Charge Injection (10pC max) Improved Off-Leakage Current Over Temperature (< 5nA at +85°C) Withstand Electrostatic Discharge (2000V min) per Method 3015.7 Existing Features Low RDS(ON) (85Ω max) Single-Supply Operation +10V to +30V Bipolar-Supply Operation ±4.5V to ±20V Low Power Consumption (35µW max) Rail-to-Rail Signal Handling TTL/CMOS-Logic Compatible		音频信号切换 电池供电应用 通信系统 引导与控制系统 平面显示器 军用无线装置 调制解调器/传真机 PBX、PABX 采样保持电路 测试设备

图表

引脚配置/功能框图/真值表

设计指南

信号切换与保护 (PDF)

可靠性报告

查询FIT数据： DG444 DG445 申请可靠性报告： DG444 DG445 (English only)

软件/模型

无

定购信息

注： 购买产品，请访问：http://china.maxim-ic.com/sales。 没有找到您所需要的器件？请咨询我们的应用工程师。我们的专家会帮助您找到合适的器件，通常在一个工作日内回复。 型号尾缀：T或T&R = 卷带; + = RoHS/无铅; # = RoHS/无铅豁免权。详细信息请参考：完整的数据资料或型号命名规则。 * “封装代码/变更”提供产品使用的变更信息。注意：型号尾缀中的“+”、“#”和“-”表示器件的RoHS状况，封装图上可能显示不同的尾缀字符。

器件： 1-32/32

DG444	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DG444AK			Active	连接盘图形： 不提供		参考数据资料
DG444DK			Active	连接盘图形： 不提供		参考数据资料
DG444C/D			Active	DICE SALES；NA引脚；0mm² 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：DICE*		参考数据资料
DG444CJ+			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16+1*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG444CJ			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16-1*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG444DJ			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16-1*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG444DJ+			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16+1*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG444CY			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16-3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG444CY-T			Active	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DG444CY+			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16+3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG444CY+T			Active	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DG444DY			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG444DY-T			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG444DY+			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16+3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG444DY+T			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16+3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445	免费样品	采购	状态	封装： 类型 引脚 占位面积   封装图编码/变更 *	温度	RoHS/无铅？ 材料分析
DG445AK			Active	连接盘图形： 不提供		参考数据资料
DG445DK			Active	CDIP(N)；16引脚；173.5mm² 封装图： 21-0045 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：J16-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG445C/D			Active	DICE SALES；NA引脚；0mm² 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：DICE*		参考数据资料
DG445CJ			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16-1*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG445CJ+			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16+1*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445DJ			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16-1*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG445DJ+			Active	PDIP(N)；16引脚；158.4mm² 封装图： 21-0043 (PDF) 连接盘图形： Not Applicable 使用封装码/变更：P16+1*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445CY+			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16+3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445CY+T			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16+3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445CY			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16-3*	0°C至+70°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG445CY-T			Active	连接盘图形： 不提供	0°C至+70°C	参考数据资料
DG445DY			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG445DY-T			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16-3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：否 材料分析
DG445DY+			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16+3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445DY+T			Active	SOIC(N)；16引脚；62mm² 封装图： 21-0041 (PDF) 连接盘图形： 90-0097 (PDF) 使用封装码/变更：S16+3*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445ETE+			Active	TQFN；16引脚；26mm² 封装图： 21-0140 (PDF) 连接盘图形： 90-0072 (PDF) 使用封装码/变更：T1655+2*	-40°C至+85°C	RoHS/无铅：无铅 材料分析
DG445ETE+T			Active	连接盘图形： 不提供	-40°C至+85°C	参考数据资料

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