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DS1200: 串行RAM芯片 |
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DS1205S: 多密钥芯片 |
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DS1205V: 多密钥 |
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DS1213B: 智能插座16k/64k |
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DS1213C: 智能插座256k |
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DS1213D: 智能插座256k/1M |
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DS1216, DS1216B, DS1216C, DS1216D, DS1216E, DS1216F, DS1216H: SmartWatch RAM DS1216B/C/D/H
SmartWatch ROM DS1216E/F |
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DS1217M: 可读/写非易失盒式磁盘 |
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DS1220AB, DS1220AD: 16k非易失SRAM |
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DS1220Y: 16K非易失SRAM |
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DS1225AB, DS1225AD: 64k非易失SRAM |
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DS1225Y: 64K非易失SRAM |
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DS1230AB, DS1230Y: 256k非易失SRAM |
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DS1230W: 3.3V、256k非易失SRAM |
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DS1235, DS1235Y: 256k非易失SRAM |
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DS1245AB, DS1245Y: 1024k非易失SRAM |
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DS1245W: 3.3V、1024k非易失SRAM |
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DS1249AB, DS1249Y: 2048k非易失SRAM |
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DS1249W: 3.3V、2048kb非易失SRAM |
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DS1250AB, DS1250Y: 4096k非易失SRAM |
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DS1250W: 3.3V、4096k非易失SRAM |
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DS1258AB, DS1258Y: 128k x 16非易失SRAM |
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DS1258W: 3.3V、128k x 16非易失SRAM |
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DS1265AB, DS1265Y: 8M非易失SRAM |
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DS1265W: 3.3V、8Mb非易失SRAM |
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DS1270AB, DS1270Y: 16M非易失SRAM |
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DS1270W: 3.3V、16Mb非易失SRAM |
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DS1315: 隐含时钟芯片 |
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DS1330AB, DS1330Y: 256k非易失SRAM，带有电池监控器 |
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DS1330W: 3.3V、256k非易失SRAM，带有电池监测器 |
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DS1345AB, DS1345Y: 1024k非易失SRAM，带有电池监视器 |
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DS1345W: 3.3V、1024k非易失SRAM，带有电池监测器 |
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DS1350AB, DS1350Y: 4096k非易失SRAM，带有电池监视器 |
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DS1350W: 3.3V、4096K非易失SRAM，带有电池监视器 |
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DS1500: Y2K兼容、看门狗RTC，带有非易失控制 |
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DS1609: 双口RAM |
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DS1630AB, DS1630Y: 256k非易失SRAM |
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DS1645AB, DS1645Y: 1024k非易失SRAM |
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DS1650AB, DS1650Y: 4096k非易失SRAM |
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DS1658AB, DS1658Y: 128k x 16非易失SRAM |
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DS1870: LDMOS RF功放偏置控制器 |
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DS1994: 4K位、带有时钟的存储器iButton® |
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DS2016: 2k x 8、工作于3V/5V的静态RAM |
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DS2030AB, DS2030Y: 单芯片、256k位非易失SRAM |
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DS2030L: 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM |
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DS2030W: 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM |
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DS2045AB, DS2045Y: 单芯片、1M非易失SRAM |
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DS2045L: 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM |
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DS2045W: 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM |
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DS2050W: 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM |
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DS2065W: 3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM |
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DS2070W: 3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM |
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DS2227: 灵活的NV SRAM存储条 |
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DS2431-A1: 用于汽车电子的1024位、1-Wire EEPROM |
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DS28CM00: I²C/SMBus硅序列号 |
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DS28CM00EVKIT: DS28CM00评估板/评估系统 |
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DS28CN01: 带有SHA-1引擎的1K位、I²C/SMBus EEPROM |
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DS28CN01EVKIT: DS28CN01评估板/评估系统 |
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DS28CZ04: 具有非易失PIO的4K位I²C/SMBus EEPROM |
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DS28CZ04EVKIT: DS28CZ04评估板/评估系统 |
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DS28DG02: 2K位SPI EEPROM，带有PIO、RTC、复位、电池监测和看门狗 |
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DS28DG02EVKIT: DS28DG02评估板/评估系统 |
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DS28EC20: 20Kb 1-Wire EEPROM |
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DS3030W: 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM，带有时钟 |
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DS3045W: 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟 |
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DS3050W: 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM，带有时钟 |
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DS3065W: 3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM，带有时钟 |
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DS3070W: 3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM，带有时钟 |
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DS3510: I²C gamma和VCOM缓冲器，带有EEPROM |
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DS3600: 安全监控电路，带有64B无痕迹、电池备份的加密SRAM |
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DS3605: NV SRAM控制器，带有实时时钟和篡改检测 |
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DS3640: I²C安全监控电路，带有1kB无痕迹、电池备份的加密SRAM |
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DS3641: 兼容于SPI™的安全监控电路，带有1kB无痕迹、电池备份的密钥保护SRAM |
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DS3650: NV SRAM控制器、RTC及监控电路，带有篡改检测 |
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DS3655: 超低功耗篡改检测电路，带有无痕迹存储器 |
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DS3690: 3.3V、26通道、三态传输门电路 |
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DS3802: 高级NV SRAM电池 |
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DS38464: 3.3V、64k x 40 NV SRAM SIMM |
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DS3900: 串口通信模块，配合评估板使用 |
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DS3902: 双路、非易失、可变电阻器，带有用户EEPROM |
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DS9034PC, DS9034PCI: PowerCap |
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MAX9955: 双比较器/端接器，提供电缆衰减补偿 |
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MAX9957CCB: 高速、双通道ATE驱动器，具有波形成形功能 |
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MAX9975: 双通道、低功耗、1200Mbps ATE驱动器/比较器，带有35mA负载 |
