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Maxim >
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处理工艺和晶圆厂
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SiGe双极型/BiCMOS
| 工艺创新性 |
- 功能丰富的高性能SiGe双极型器件和无源器件能够在数GHz频率上提供完备的功能电路，例如：在单一芯片上集成完整的RF收发器。
- 无源器件针对RF应用而优化，例如：超高Q值电感、高谐振频率的变容二极管，确保系统具有最低的相位噪声。
- 对薄膜电阻进行激光调理，能够获得严格的参数分布指标，例如：更好的失调匹配、较窄的VCO中心频率和最佳的S22指标等。
- 绝缘层上的硅制作工艺能够实现高速电路所需的快速上升时间，并解决了电路闭锁问题。
- Maxim的制造工艺能够以CMOS的价格提供硅锗的性能。
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| 应用 |
- 时钟
- 均衡器
- 激光驱动器
- 互阻放大器
- 限幅放大器
- 无线收发器
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