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BCDMOS

工艺创新性

超高压、小尺寸晶体管具有高达250V的击穿电压。
低导通电阻 ― 80V时仅为0.6Ω-mm² ― 能够集成多个低电阻功率FET。
双金属层支持高达10A的电流。
将薄膜、聚乙烯电容集成在硅片上能够实现高性能的模拟功能，例如，具有精密基准的大功率器件。

应用

大功率转换器
电信、数据通信、汽车电源
计算机电源

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