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关键词:
欠压, 欠压延时, ds2784, tuvd
APP 4062: Oct 19, 2007
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应用笔记4062
理解DS2784的欠压保护延时(t
UVD
)
摘要:为防止电池过放电,DS2784提供欠压保护。本应用笔记解释了欠压保护延时(t
UVD
)是如何实现的。
绪论
DS2784
具有欠压保护电路,可防止电池过放电。当检测到欠压情况时,DS2784关闭充电和放电FET,并将保护寄存器的UV标志位置位。本应用笔记解释了DS2784的电压和温度测量的ADC功能及其与器件欠压保护延时(t
UVD
)的关系。
说明
DS2784采用一路ADC来测量温度和电池电压。该ADC输入在2路信号间复用,每220ms在温度测量和电压测量之间切换一次。ADC采样速率为18.6kHz,每220ms可得到4092个采样值;然后将这些采样值的平均值报告给用户。温度和电压测量每440ms更新一次,在相应的测量周期结束时进行更新。
图1
所示为ADC的温度和电压测量复用时序。
图1. ADC测量的复用时序图。ADC每220ms切换一次温度测量和电压测量,并且每440ms更新一次寄存器。
对于欠压情况,芯片内没有与之相关的模拟电压比较器或者人为的延时电路。延时功能是对电压测量值进行平均时所固有的特性。如果在220ms周期结束时电压寄存器中的值内低于V
UV
,则保护器进入欠压(UV)保护模式。由于电压寄存器中的电压值是基于ADC采样值的平均,所以用户看到出现欠压条件响应的时间可以变化很大。例如,如果电池电压在220ms采样窗口的多数时间内都高于V
UV
,但在220ms采样周期结束时跌落至远低于V
UV
,从而导致该采样窗口内的平均值低于欠压门限,则在该采样窗口(
图2
)结束时就会报告出现了欠压状况。然而,如果电池电压远高于V
UV
,但正好在接近220ms采样窗口开始位置时跌落至低于V
UV
,则该采样窗口的平均电压值仍大于V
UV
。这种情况下,在下一个220ms电压测量窗口结束之前将不会报告出现了欠压状况(
图3
)。
图2. 最小t
UVD
的情况。在该实例中,电池电压在测量窗口的多数时间内高于V
UV
,但之后降低至欠压门限以下,导致220ms采样窗口内测到的平均电压低于V
UV
。
图3. 最大t
UVD
的情况。在该实例中,电池电压远高于V
UV
,即使电压降低至欠压门限以下,220ms采样窗口的平均电压仍保持大于V
UV
。因此,在下一个电压测量窗口之前不会记录欠压条件。
总结
因为DS2784的ADC每440ms报告一次220ms内的平均电压测量值,欠压保护延时功能已固化在电路设计中,无需额外的内部电路来实现欠压保护延时功能。
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