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关键词:
CCFL, 冷阴极荧光灯, 变压器
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APP 3375: Oct 02, 2008
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应用笔记3375
DS3984/DS3988变压器匝数比的选择
摘要:DS3984和DS3988是多通道的冷阴极荧光灯(CCFL)控制器。使用DS3984和DS3988优化系统设计时,关键参数是变压器匝数比的选择。本应用笔记介绍了变压器匝数比因不同的CCFL灯管和直流电源的变化情况,并提供了一个快速查找表格,帮助用户选择最合适的变压器匝数比。
DS3984
和
DS3988
是多通道的冷阴极荧光灯(CCFL)控制器。这些控制器采用推挽式驱动架构,可将直流电源电压转换成为驱动CCFL灯管所需的高压交流波形。
图1
给出了这种驱动架构的示意图。
图1. DS3984/DS3988 CCFL驱动示意图
控制器的每一个通道驱动两个逻辑电平控制的n沟道MOSFET,这两个MOSFET分别连接在升压变压器初级的两端和地之间。变压器初级线圈的中心抽头接直流电源。控制器轮流打开两个MOSFET,从而在变压器次级产生一个高压交流波形。
在推挽式驱动架构设计中,设计的关键是正确选择变压器匝数比。对于给定的灯管工作电流,变压器匝数比与CCFL灯管电压成正比,与直流电源电压成反比,如下式:
灯管工作电压
α
变压器匝数比 × 直流电源电压
对于给定的直流电压,较高的CCFL灯管工作电压需要较大的变压器匝数比。对于特定的CCFL灯管,较高的直流电压需要较小的变压器匝数比。CCFL灯管的工作电压与灯管直径、长度等因素有关。灯管直径越小、灯管越长,所需要的工作电压越高。
没有一个精确的公式可以用来计算变压器匝数比。
表1
列举了一些不同CCFL灯管所需的变压器匝数比的经验值。从表中可以看出,变压器匝数比随着直流电压的升高而减小,随着CCFL灯管工作电压的减小而减小。
表1. 不同CCFL灯管对应的变压器匝数比
Nominal DC
Supply Voltage
1
Lamp 1
2.4mm x 438mm
830 ~ 890 V
RMS
2
Lamp 2
2.2mm x 258mm
540 ~ 600 V
RMS
2
Lamp 3
2.0mm x 218mm
440 ~ 490 V
RMS
2
5V
80:1
70:1
65:1
6V
75:1
65:1
60:1
7V
70:1
60:1
55:1
8V
65:1
65:1
50:1
9V
60:1
50:1
45:1
10V
55:1
45:1
40:1
11V
50:1
40:1
36:1
12V
45:1
36:1
32:1
13V
40:1
32:1
30:1
14V
38:1
30:1
28:1
15V
36:1
28:1
26:1
16V
34:1
26:1
25:1
17V
32:1
25:1
24:1
18V
30:1
24:1
23:1
19V
29:1
23:1
22:1
20V
28:1
22:1
21:1
21V
27:1
21:1
20:1
22V
26:1
20:1
19:1
23V
25:1
19:1
18:1
24V
24:1
18:1
17:1
注:
1. 假设电压波动为±10%。
2. 灯管在5mA
RMS
工作电流下的工作电压。
用户可以参考表1,选择合适的匝数比。例如,当电源电压为24V时,为驱动额定工作电压为800V的CCFL灯管,首先参考表1中一个相似的灯管选择变压器匝数比。表1所列的2.4mm x 438mm的灯管和此目标灯管最接近,可以选择24:1的匝数比。为满足灯管要求,控制器能够自动调整,因此,实际匝数比允许±15%的波动。
设计技巧:
在估算变压器匝数比时,通常建议选择稍大一些的匝数比。当变压器匝数比稍大时,控制器会通过减小MOSFET占空比进行调整;但当变压器匝数比太低时,灯管可能会无法启动。
一旦选定了变压器匝数比,就要在工作电压范围和温度范围内对目标灯管进行测试。应该测量MOSFET栅极驱动引脚(GA和GB)的占空比。如果灯管和变压器设计吻合,占空比应该在25%到35%范围内。
定义:变压器匝数比
本应用笔记对变压器匝数比的定义为:次级线圈圈数和两个初级线圈圈数之和的比值。例如,一个50:1的变压器可能由2100圈的次级线圈和两个21圈的初级绕组组成[2100/(21+21) = 50]。
除了变压器匝数比,
表2
还列举了其他一些重要的变压器参数。详细资料可以参考DS3984和DS3988的数据资料。
表2. 变压器关键参数
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Frequency
40
80
kHz
Output Power
6
W
Output Current
5
8
mA
RMS
Primary DCR
center tap to one end
200
mΩ
Secondary DCR
500
Ω
Primary Leakage
12
µH
Secondary Leakage
185
mH
Primary Inductance
70
µH
Secondary Inductance
500
mH
Secondary Output Voltage
100ms minimum
2000
V
RMS
Secondary Output Voltage
continuous
1000
V
RMS
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