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Texas Instruments MSP430C1111

• 比较器典型响应时间为0.14µs，而MSP430C1111的比较器响应时间为0.15µs。
• 比较器共模电压范围为0V至4.0V，而MSP430C1111的比较器共模电压范围为0V至2.6V。
• 比较器输入失调电压为±10mV，而MSP430C1111的比较器输入失调电压为±30mV。
• EEPROM数据存储器为128字节，并具有64字节的SRAM；而MSP430C1111只具有128字节的SRAM，没有EEPROM数据存储器。
• 提供15个I/O口，能够控制更多的外设；MSP430C1111可提供14个I/O口。
• 附加的20位唤醒定时器可用于产生长期中断，而MSP430C1111没有唤醒定时器。

• MSP430C1111有3个16位定时器，而MAXQ3212只有1个16位定时器。
• MSP430C1111的待机电流为0.7µA，而MAXQ3212的待机电流为6µA。

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