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ST Microelectronics M48Z35Y


用DS1230Y替代M48Z35Y:
  • 单芯片方案。
  • 单芯片NV SRAM模块内包含电池,无需其它芯片,例如电池帽。
  • 该器件可采用标准设备安装,并可采用标准的SMT工艺进行回流焊。
  • 与IC一样,可以对该器件进行清洗和干燥处理。我们的单片NV SRAM系列器件占有相同的板尺寸,在不增大布板面积的情况下提高了电路密度。
  • 内置RTC的单片NV SRAM与单片NV SRAM尺寸相同。
  • 这个器件的工作寿命比现有NV SRAM延长2到3倍(PowerCap或ST、TI器件可以在没有VCC的情况下,提供10年的数据保持)。

用M48Z35Y替代DS1230Y:
  • 提供表面贴封装(SNAPHAT®)。
  • SNAPHAT的封装面积比同类PowerCap小28%。
  • M48Z35AY提供电池测试功能(VCC = 5V ±10%版本)。
  • 最大工作电流降低30%。


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DS2030AB, DS2030Y 单芯片、256k位非易失SRAM 快速浏览

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